三星電子宣布已完成其業(yè)內(nèi)首款GDDR7的研發(fā)工作
7月20日消息,星電宣布近日三星電子宣布已完成其業(yè)內(nèi)首款GDDR7的已完業(yè)內(nèi)研發(fā)工作。年內(nèi)將首先搭載于主要客戶的首款上海外圍上門外圍女(電話微信365-*2895)提供頂級外圍女上門,可滿足你的一切要求下一代系統(tǒng)上驗證,從而帶動未來顯卡市場的發(fā)工增長,并進一步鞏固三星電子在該領(lǐng)域的星電宣布技術(shù)地位。

繼2022年三星開發(fā)出速度為每秒24千兆比特(Gbps)的已完業(yè)內(nèi)GDDR6 16Gb之后,GDDR7 16Gb產(chǎn)品將提供目前為止三星顯存的首款最高速度32Gbps。同時,發(fā)工集成電路(IC)設(shè)計和封裝技術(shù)的星電宣布上海外圍上門外圍女(電話微信365-*2895)提供頂級外圍女上門,可滿足你的一切要求創(chuàng)新提升了高速運行下的性能穩(wěn)定性。
值得一提的已完業(yè)內(nèi)是,三星GDDR7可達到出色的首款每秒1.5太字節(jié)(TBps)的帶寬,是發(fā)工GDDR6 1.1TBps的1.4倍,并且每個數(shù)據(jù)I/O(輸入/輸出)口速率可達32Gbps。星電宣布該產(chǎn)品采用脈幅調(diào)制(PAM3)信號方式,已完業(yè)內(nèi)取代前幾代產(chǎn)品的首款不歸零(NRZ)信號方式,從而實現(xiàn)性能大幅提升。在相同信號周期內(nèi),PAM3信號方式可比NRZ信號方式多傳輸50%的數(shù)據(jù)。
另外,GDDR7的設(shè)計采用了適合高速運行的節(jié)能技術(shù),相比GDDR6能效提高了20%。針對筆記本電腦等注重功耗的設(shè)備,三星提供了一個低工作電壓的選項。
為最大限度地減少顯存芯片發(fā)熱,除集成電路(IC)架構(gòu)優(yōu)化外,三星還在封裝材料中使用具有高導(dǎo)熱性的環(huán)氧成型化合物(EMC)材料。與GDDR6相比,這些改進不僅顯著降低70%的熱阻,還幫助GDDR7在高速運行的情況下,實現(xiàn)穩(wěn)定的性能表現(xiàn)。

繼2022年三星開發(fā)出速度為每秒24千兆比特(Gbps)的已完業(yè)內(nèi)GDDR6 16Gb之后,GDDR7 16Gb產(chǎn)品將提供目前為止三星顯存的首款最高速度32Gbps。同時,發(fā)工集成電路(IC)設(shè)計和封裝技術(shù)的星電宣布上海外圍上門外圍女(電話微信365-*2895)提供頂級外圍女上門,可滿足你的一切要求創(chuàng)新提升了高速運行下的性能穩(wěn)定性。
值得一提的已完業(yè)內(nèi)是,三星GDDR7可達到出色的首款每秒1.5太字節(jié)(TBps)的帶寬,是發(fā)工GDDR6 1.1TBps的1.4倍,并且每個數(shù)據(jù)I/O(輸入/輸出)口速率可達32Gbps。星電宣布該產(chǎn)品采用脈幅調(diào)制(PAM3)信號方式,已完業(yè)內(nèi)取代前幾代產(chǎn)品的首款不歸零(NRZ)信號方式,從而實現(xiàn)性能大幅提升。在相同信號周期內(nèi),PAM3信號方式可比NRZ信號方式多傳輸50%的數(shù)據(jù)。
另外,GDDR7的設(shè)計采用了適合高速運行的節(jié)能技術(shù),相比GDDR6能效提高了20%。針對筆記本電腦等注重功耗的設(shè)備,三星提供了一個低工作電壓的選項。
為最大限度地減少顯存芯片發(fā)熱,除集成電路(IC)架構(gòu)優(yōu)化外,三星還在封裝材料中使用具有高導(dǎo)熱性的環(huán)氧成型化合物(EMC)材料。與GDDR6相比,這些改進不僅顯著降低70%的熱阻,還幫助GDDR7在高速運行的情況下,實現(xiàn)穩(wěn)定的性能表現(xiàn)。
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