三星即將推出下一代QLC NAND V9方案 每平方毫米容量達28.5Gb – 藍點網
盡管目前 QLC 閃存因為壽命和速度問題不太討喜,星即不過三星此前已經推出基于 QLC 的將推固態硬盤,而且三星認為 QLC 是出下個提高容量的不錯的解決方案。
為此三星正在準備推出該公司的代Q達G點網下一代 QLC NAND V9 解決方案,堆疊層數為 280 層,平方其容量密度達到每平方毫米 28.5Gb,毫米遠超競爭對手。容量

目前業界最高密度的星即閃存是長江存儲的 232 層 QLC 閃存,每平方毫米容量為 20.62Gb,將推不過長江存儲的出下 232 層 QLC 閃存也還沒有正式推出。
速度方面,代Q達G點網報道稱 QLC NAND V9 的平方最大傳輸速度為 3.2Gbps (每個芯片),這比三星之前的毫米版本 2.4Gbps 要快不少,所以對于 M.2 SSD 來說速度不會太差。容量
然而 QLC SSD 基本都配備了緩存,星即有緩存的情況下讀寫速度還不錯,一旦緩存寫滿或者說直接對 QLC 閃存進行讀寫,那速度就會很慘了,有時候到 100~300MB/S (這已經算高的了,有些只有 100MB/S 以內,堪比機械盤),這就失去了 SSD 的優勢。
不過畢竟 QLC SSD 價格也會便宜,另外由于密度大,三星可能會推出消費級的 8TB QLC M.2 固態硬盤。
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