好光頒布收表推出單條容量128GB的單條新一代DDR5內(nèi)存，同時將頻次做到了8000MHz，單條可謂又大年夜又快，單條將于2024年投進(jìn)量產(chǎn)。單條

當(dāng)然，單條那沒有是單條消耗級UDIMM內(nèi)存，而是單條里背辦事器的RIDMM內(nèi)存。

它基于單顆容量32Gb(4GB)的新型DDR5顆粒，容量稀度刪減45％。單條

如果利用單芯啟拆戰(zhàn)TFF減下模組，單條很快便能夠做到單條1TB。單條

制制工藝是單條成逝世的1β，號稱能效比競品的單條3DS TSV硅脫孔計(jì)劃超出超越最多24％。

經(jīng)由過程操縱先進(jìn)的單條CMOS工藝，戰(zhàn)陣列效力的沒有竭改進(jìn)，好光每過三年便會將內(nèi)存稀度翻一番，將去將繼絕背48Gb(6GB)、64Gb(8GB)邁進(jìn)。

估計(jì)到2026年，好光將推出單條256GB乃至更大年夜容量的MRDIMM，頻次也下達(dá)12800MHz。